概要：博納科技深耕半導(dǎo)體拋光液分離純化，在拋光液的濃縮、純化領(lǐng)域開(kāi)發(fā)了高效、高質(zhì)量的膜分離純化工藝，提高了產(chǎn)品質(zhì)量、穩(wěn)定性。

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近年來(lái)，半導(dǎo)體材料作為一種新興的產(chǎn)業(yè)，在高新技術(shù)和國(guó)民經(jīng)濟(jì)等領(lǐng)域占有越來(lái)越重要的地位，高效地制備超光滑、表面無(wú)缺陷的半導(dǎo)體晶片具有十分重要的科學(xué)意義以及市場(chǎng)應(yīng)用前景。

拋光液是化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)的核心，對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中的化學(xué)作用和機(jī)械作用起著決定性的作用，拋光液的質(zhì)量直接影響半導(dǎo)體晶片的質(zhì)量。一般來(lái)說(shuō)，拋光液由磨粒、氧化劑、去離子水和添加劑（分散劑、鈍化劑、pH調(diào)節(jié)劑、緩蝕劑、催化劑、螯合劑等）組成。最常用的磨粒主要有三種，即二氧化硅、二氧化鈰和氧化鋁。

以二氧化硅為例，經(jīng)硅酸鈉和有機(jī)硅酸鹽水解可制得所需粒徑大小及分布均勻的膠體二氧化硅顆粒，形狀呈規(guī)則的圓形，且化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，硬度適中。然而，膠體二氧化硅溶液中不可避免地含有大量的鈉離子，這些鈉離子存在于器件隔離氧化層中，少量鈉離子就會(huì)影響集成電路電壓的穩(wěn)定性。

磨粒濃度影響材料去除率和表面質(zhì)量。在CMP拋光工藝中，材料去除率隨著磨粒濃度變化的趨勢(shì)基本一致，受限于工藝控制，合成的硅溶膠濃度較低，需要將提高硅溶膠濃度以滿足后續(xù)工藝要求。

針對(duì)拋光液金屬離子濃度高、磨粒濃度低的問(wèn)題，博納科技采用錯(cuò)流過(guò)濾方式，進(jìn)行膜選型和設(shè)備選型，開(kāi)發(fā)膜分離和膜濃縮工藝，降低金屬離子濃度至PPB級(jí)別，提高磨粒濃度至40wt%以上。

錯(cuò)流過(guò)濾又稱為交叉流過(guò)濾、切向流過(guò)濾。這種過(guò)濾方式具有過(guò)濾阻力小、膜面污堵輕、過(guò)濾效率高、可線性放大和適合工業(yè)化生產(chǎn)的特點(diǎn)。拋光液中粒子一般為微米或納米級(jí)別，直流過(guò)濾方式或離心方式無(wú)法滿足工業(yè)化生產(chǎn)，采用錯(cuò)流過(guò)濾方式，拋光液在壓力的作用下，以切向角度通過(guò)膜面，透過(guò)液垂直透過(guò)膜面，避免了納米粒子在過(guò)濾過(guò)程形成凝膠的現(xiàn)象，達(dá)到了磨粒濃縮和金屬離子洗濾的目的。

配合膜選型、設(shè)備選型、材質(zhì)選型和過(guò)濾參數(shù)確定，成功實(shí)現(xiàn)小試、中試及生產(chǎn)規(guī)模膜過(guò)濾系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和制造，制備得到高品質(zhì)拋光液產(chǎn)品。

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博納科技深耕膜分離技術(shù)及其應(yīng)用工藝多年。在研發(fā)過(guò)程中，不僅專注于工藝開(kāi)發(fā)的創(chuàng)新，還致力于設(shè)備裝置的優(yōu)化升級(jí)。通過(guò)多年的不懈努力，我們積累了豐富的產(chǎn)品純化經(jīng)驗(yàn)和工程化放大經(jīng)驗(yàn)，成功攻克了一系列工藝制造難題，顯著提升了最終產(chǎn)品的質(zhì)量和純度。我們的努力不僅贏得了客戶的廣泛認(rèn)可，更實(shí)現(xiàn)了與客戶的互相賦能、共贏發(fā)展。